안녕하세요 학생개발자입니다.
삼성 파운드리는 2021년 3nm EUV 공정을 양산한다고 합니다. 올해에는 5nm 및 5nm FinFET EUV와 18FDS 초기 생산이 이루어지며 2020년에는 3nm EUV GAA 공정의 생산이 시작될 예정이라고 합니다.7nm에 기반을 둔 5nm 및 4nm 공정은 FinFET 최적화가 이루어질 것이며 4nm 공정은 FinFET이 적용되는 마지막 과정이라고 합니다. 삼성전자는 2019년 현제 이미 7나노 EUV공정을 완성하였으며 양산하고 있읍니다.
현제 삼성은 AMD의 라데온 VII의 파운더리 업체로 선정되었으며 7나노 EUV로 생산된다고 합니다. 이러한 삼성전자는 기술 초격차를 유지하여 삼성의 경쟁력 약화를 방지하는 방식중 하나입니다. 이로써 중국의 기술굴기에 따른 위험성도 낮아질 것으로 예상합니다. 3nm 공정으로 제작된 gpu나 APU의 성능이 어떨지 매우 궁금합니다.
삼성전자의 로드맵에 따라서 3나노 공정이 구현되는 날이 1년 차이 납니다. 이러한 짧은 시간에 기술 발전을 이루는 삼성전자가 무섭기도 합니다.. 오직하면 삼성전자가 외계인을 고문한다는 이야기도 나오는 것이 이해개 됩니다. 무려 2000년도에 14나노수준이 현제 7나노 EUV 수준까지 발전하였습니다 . 이러한 상황에 중국정부에 집중적 투자를 받아 급격히 성장하는 중국기업들로부터의 위험을 줄일 수 있는 유일 한 방법은 기술 초격차를 유지하는 것입니다. 또한 정부는 기업들의 기술개발에 악제가 되는 규제를 풀어 기술개발을 쉽게 만들어야 합니다.